オリジンのパワー半導体
オリジン製品は下記ページよりご確認いただけます。
用語 Terms |
記号 Symbols |
定義 Definitions |
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せん頭逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage |
VRM | 素子の逆方向に繰り返し印加出来る逆電圧の最大値 The maximum allowable value of reverse voltage that can be repeatedly applied to the reverse direction of the device. |
非繰り返し逆耐電圧 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage |
VRSM | 素子の逆方向に印加できる最大許容サージ電圧値 The maximum allowable surge value of reverse voltage that can be applied to the reverse direction of the device. |
試験逆電圧 Test Reverse Voltage |
Vtest | 素子の逆方向に試験の為に印加出来る逆電圧の値(1分以内) The value of reverse voltage that can be applied to the reverse direction of the device for the test (within 1 minute). |
平均整流電流 Average Rectified Forward Current |
IO | 素子の順方向に流せる50Hz正弦半波電流の平均値 The average value of current at 50Hz,half sine wave(condition angle 180°) that can flow in the forward direction of the device. |
せん頭順サージ電流 Peak Surge Forward Current |
IFSM | 素子の順方向に流せる50Hz正弦半波電流の波高値(非繰り返し) Maximum peak value of current at 50Hz,half sine wave(single-face) that can flow in the forward direction of the device (Non-Repetitive). |
せん頭サージ電流(ピークインパルス電流) Maximum Surge Current (Peak impulse current) |
ISM(IPPM、IPP) | 規定のインパルス波形条件下で、デバイスに流せる電流の最大ピーク値 Maximum peak value of current under specified impulse waveform condition that can flow in the device. |
せん頭サージ電力 Peak Surge Power Dissipation |
PSM | 規定のインパルス波形条件下で、デバイスに印加できる最大ピーク電力値 Maximum peak value of power under specified impulse waveform condition that can be applied to the device. |
降伏電圧 Break Down Voltage |
VB | 素子の逆方向に規定の電流(IB)を流した時の逆電圧(ブレークダウン電圧)値 The reverse voltage (breakdown voltage) value when a specified current(IB) flows in the reverse direction of the device. |
順電圧 Forward Voltage Drop |
VF | 素子の順方向に規定の電流(IF)を流した時の順方向電圧降下の値 The forward voltage drop value when a specified current flows in the forward(IF) direction of the device. |
クランピング電圧 Clamping Voltage |
Vc | 規定の電流ピーク値のインパルス電流を流した際の端子間の電圧値 The voltage value between terminals when a impulse current of specified peak current flows in the device. |
逆電流 Reverse Current |
IR | 素子に規定の逆電圧を印加した際に、逆方向に流れる電流値 The reverse leakage current value when a specified voltage is applied in the reverse direction of the device. |
許容損失 Power Dissipation |
P | 規定された条件下での最大許容電力値 Maximum allowable value of power under specified conditions. |
ツェナー電圧 Zener Voltage |
VZ | 素子の逆方向に指定の電流IZを流したときの電圧値 The voltage value when a specified current IZ flows in the reverse direction of the device. |
ツェナー電流 Zener Current |
IZ | ツェナー電圧を測定する際の基準電流 Standard current which measures zener voltage. |
動作抵抗(ツェナーダイオード) Zener Impedance |
rd | ツェナー電流値IZの変化量に対するツェナー電圧値VZの変化量の割合 The ratio of the variation of zener voltage(VZ) when the specified current(IZ) in the zener area is changed. |
温度係数(ツェナーダイオード) Temperature Coefficient of Zener Voltage |
γ | 素子の周囲温度の変化量に対するツェナー電圧VZの変化量の割合 The ratio of the variation of zener voltage(VZ) when ambient temperature is changed. |
逆回復時間 Reverse Recovery Time |
trr | 素子に印加する電圧を順方向から逆方向に切換えた時に素子に流れる逆電流が、ピーク値の10%まで減少するのにかかる時間 Time for reverse current to decrease to 10% of maximum, when the device is switched from forward bias to reverse bias. |
端子間静電容量 Terminal Capacitance |
CT | 逆方向に指定された電圧VRと周波数fを印加した時の端子間容量 The capacitance between device terminals when specified voltage VR and frequency f are applied to the reverse direction of the device. |
接合容量 Junction Capacitance |
Cj | 規定された逆方向電圧VRを周波数fで素子に印加した時の接合容量 The junction capacitance when specified voltage VR and frequency f are applied to the reverse direction of the device. |
接合部温度 Operating Junction Temperature |
Tj | 素子の動作中に許容される接合部の温度 Allowable junction temperature in which the device is operating. |
保存温度 Storage Temperature |
Tstg | 素子を保存する時の許容温度 Allowable ambient temperature range within which the device can be stored. |
ケース温度 Case Temperature |
Tc | 素子のケース温度 Case temperature of the device. |
周囲温度 Ambient Temperature |
Ta | 素子が使用される環境の温度 Ambient temperature in which the device is used. |
油温度 Oil Temperature |
Toil | 素子周囲の高圧絶縁油温度 High-pressure electrical oil temperature around the device. |
熱抵抗 Thermal Resistance |
Rth(j-a) | 単位電力を素子に印加した時の、周囲温度を基準とした接合温度の上昇値 The rise value of the junction temperature on the basis of the ambient temperature when unit electric power is applied. |
Rth(j-c) | 単位電力を素子に印加した時の、ケース温度を基準とした接合温度の上昇値 The rise value of the junction temperature on the basis of the case temperature when unit electric power is applied. |