本文へジャンプ

当社のパワー半導体デバイス設計では、試作サンプルの特性・高電圧試験・構造の出来栄え評価を行い、次段の試作水準にフィードバックすることで、より高い信頼性をもつデバイスを製品化しています。

X線による内部構造評価

X線による内部構造評価により、封止材のモールド樹脂にボイドが無いかを評価します。

高電圧出力試験

空間電界と沿面放電の抑制のため、3Dモデルを用いたシミュレーションを行い、使用環境(油中、ガス中)に応じて部品の最適な空間配置を決めます。これにより、高い安全性と高信頼性を確保します。

搭載ダイオード素子のチップ評価

高耐電圧モジュール主部品のダイオード素子のチップ設計にあたっては、断面構造・不純物濃度
プロファイルを評価、設計にフィードバックし、目標の特性が得られるチップを設計します。

技術に関するお問い合わせ

技術に関するお問い合わせは下記の問い合わせフォームから

製品のお問い合わせ

オリジンのパワー半導体

オリジン製品は下記ページよりご確認いただけます。

パワー半導体 製品一覧